НИР "Разработка технологии изготовления методов МОСГрЭ соединений InGa, Pas с Eg ≈ 1,0 ÷ 1,17 ЭВ на подложках InP"

Размещено:25.05.2015

Место поставки

г. Санкт-Петербург, ул. Политехническая д.26

Отрасль

Заказчик

Начальная цена

500 000 ₽

Обеспечение заявки

0 ₽

Обеспечение контракта

0 ₽

Номер закупки

31502389473

Способ размещения

Закупка у единственного поставщика

Площадка

(223-ФЗ)

Извещение 133

25.05.2015

15-06_20150525122753_000

25.05.2015

Извещение 133

25.05.2015

Участник	Предложение	Результат
ФГБУН НАУЧНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ЦЕНТР МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ И СУБМИКРОННЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК	500 000 ₽	-

ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ИМ. А.Ф. ИОФФЕ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК (Заказчик)

Почтовый адрес

Адрес места нахождения

Контактное лицо

Телефон

+7 (812) 2927313

Факс

Электронная почта

zakupki@mail.ioffe.ru

Информация о контрактной службе, контрактном управляющем

Дополнительная информация

Опубликована	Закупка	Начальная цена
04.08.2022	НИР "Исследование оптических волноводов на гибридных подложках тонкопленочного ниобата лития методами высокоразрешающей зондовой микроскопии и электронной спектроскопии"	300 000 ₽
01.07.2022	Подложки 4-H-SiC, GaN, Ga203	137 040 ₽
23.12.2021	Подложка арсенида галлия, легированная кремнием	13 700 ₽
26.11.2021	Подложки полупроводниковые GaAs	344 000 ₽
18.11.2021	Подложки карбида кремния (SiC), политипов 4Н и 6Н диаметром 4 дюйма	435 000 ₽