Поставка подложек арсенида галлия для молекулярно-пучковой эпитаксии

Размещено:22.10.2019

Подача заявок:22.10.2019 11:51 - 30.10.2019 10:00

Начало торгов:05.11.2019 9:30

Место поставки

Российская Федерация, Санкт-Петербург, ул.Хлопина, д.8, корп.3, лит.А

Отрасль

Металл

Заказчик

ФГБУ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ АКАДЕМИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМЕНИ Ж.И. АЛФЕРОВА РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК

Начальная цена

398 125 ₽

Обеспечение заявки

3 981 ₽

Обеспечение контракта

39 813 ₽

Номер закупки

0372100010519000017

Способ размещения

Аукцион

Площадка

Сбербанк-АСТ (44-ФЗ)

Товар/услуги	Код КТРУ	Ед. изм.	Кол-во	Цена за ед.	Стоимость
Подложки арсенида галлия, n-тип	24.45.30.280	Штука	25	7962.5	199062.5
Подложки арсенида галлия, p-тип	24.45.30.280	Штука	25	7962.5	199062.5

Документация

22.10.2019

Документация

22.10.2019

0372100010519000017

18.11.2019

Участник	Предложение	Результат
РЕДМЕТКОНЦЕНТРАТ, ООО	326 462 ₽	2
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ, ООО	324 472 ₽	1

ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ "САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ АКАДЕМИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК"

Почтовый адрес

Российская Федерация, 194021, Санкт-Петербург, УЛИЦА ХЛОПИНА, ДОМ 8/КОРПУС 3 ЛИТ. А

Адрес места нахождения

Российская Федерация, 194021, Санкт-Петербург, УЛИЦА ХЛОПИНА, ДОМ 8/КОРПУС 3 ЛИТ. А

Контактное лицо

Дмитриева Т. А.

Телефон

8-812-2474465

Факс

Электронная почта

nokntran@list.ru

Информация о контрактной службе, контрактном управляющем

Дополнительная информация

Информация отсутствует

Опубликована	Закупка	Начальная цена
19.03.2024	Поставка подложек фосфида индия, легированных серой	300 000 ₽
21.09.2023	Поставка полупроводниковых подложек арсенида галлия	280 000 ₽
23.05.2023	Поставка подложек кремния и карбида кремния для нужд СПбАУ РАН им.Ж.И.Алферова	239 407 ₽
22.06.2018	Выполнение научно-исследовательской работы (НИР)«Исследование спектров фотолюминесценции, спектров возбуждения фотолюминесценции и времяразрешенных спектров фотолюминесценции нитевидных нанокристаллов на основе AlGaAs и GaAs, выращенных на подложках SiC/Si»	616 667 ₽
17.10.2017	Выполнение научно-исследовательской и опытно-технологической работы «Исследование структурных и морфологических свойств A3B5 полупроводниковых нитевидных нанокристаллов, выращенных на гибридных подложках SiC/Si в центре коллективного пользования «Материаловедение и диагностика в передовых технологиях»	210 000 ₽