| Товар/услуги | Код КТРУ | Ед. изм. | Кол-во | Цена за ед. | Стоимость |
|---|---|---|---|---|---|
| Этап 1 ОКР «Разработка технологии получения эпитаксиальных гетероструктур повышенной однородности методом МОС-гидридной эпитаксии для линеек и решеток лазерных диодов, используемых в системах диодной накачки твердотельных лазеров», шифр «Кайра» | 72.19.50.000 | Условная единица | 1 | 74000000 | 74000000 |
| Этап 2 ОКР «Разработка технологии получения эпитаксиальных гетероструктур повышенной однородности методом МОС-гидридной эпитаксии для линеек и решеток лазерных диодов, используемых в системах диодной накачки твердотельных лазеров», шифр «Кайра» | 72.19.50.000 | Условная единица | 1 | 126000000 | 126000000 |
| Этап 3 ОКР «Разработка технологии получения эпитаксиальных гетероструктур повышенной однородности методом МОС-гидридной эпитаксии для линеек и решеток лазерных диодов, используемых в системах диодной накачки твердотельных лазеров», шифр «Кайра» | 72.19.50.000 | Условная единица | 1 | 74000000 | 74000000 |
| Этап 4 ОКР «Разработка технологии получения эпитаксиальных гетероструктур повышенной однородности методом МОС-гидридной эпитаксии для линеек и решеток лазерных диодов, используемых в системах диодной накачки твердотельных лазеров», шифр «Кайра» | 72.19.50.000 | Условная единица | 1 | 11000000 | 11000000 |