| Товар/услуги | Код КТРУ | Ед. изм. | Кол-во | Цена за ед. | Стоимость |
|---|---|---|---|---|---|
| Этап 1 ОКР «Разработка технологии выращивания методом молекулярно-лучевой эпитаксии InGaAlSb ХВn-структур для «высокотемпературных» широкоформатных инфракрасных матриц, фоточувствительных в средневолновом спектральном диапазоне», шифр «Бариод» | 72.19.50.000 | Условная единица | 1 | 52000000 | 52000000 |
| Этап 2 ОКР «Разработка технологии выращивания методом молекулярно-лучевой эпитаксии InGaAlSb ХВn-структур для «высокотемпературных» широкоформатных инфракрасных матриц, фоточувствительных в средневолновом спектральном диапазоне», шифр «Бариод» | 72.19.50.000 | Условная единица | 1 | 85000000 | 85000000 |
| Этап 3 ОКР «Разработка технологии выращивания методом молекулярно-лучевой эпитаксии InGaAlSb ХВn-структур для «высокотемпературных» широкоформатных инфракрасных матриц, фоточувствительных в средневолновом спектральном диапазоне», шифр «Бариод» | 72.19.50.000 | Условная единица | 1 | 87000000 | 87000000 |
| Этап 4 ОКР «Разработка технологии выращивания методом молекулярно-лучевой эпитаксии InGaAlSb ХВn-структур для «высокотемпературных» широкоформатных инфракрасных матриц, фоточувствительных в средневолновом спектральном диапазоне», шифр «Бариод» | 72.19.50.000 | Условная единица | 1 | 40000000 | 40000000 |