ТарифыБлогАутсорсинг
info@zakupki360.ru | 8(800)3333-717
Регистрация/вход
На контроль
Размещение завершено

Закупка гетероэпитаксиальных структур на основе нитрида галлия на подложках сапфира - 106

Размещено:21.08.2014
Место поставки
124498, Москва, Зеленоград, проезд 4806, д.5
Отрасль
-
Начальная цена
350 460 ₽
Обеспечение заявки
0 ₽
Обеспечение контракта
0 ₽
Номер закупки
31401448652
Способ размещения
Запрос котировок
Площадка
 (223-ФЗ)
Документы
Протокол 106
28.08.2014
Документация 106
21.08.2014
Извещение 106
21.08.2014
Участники и результаты
УчастникПредложениеРезультат
ЭЛМА-МАЛАХИТ, АО350 450 ₽-
Контакты
федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский университет "МИЭТ" (Заказчик)
Почтовый адрес
Адрес места нахождения
Контактное лицо
Иванова Мария Валерьевна
Телефон
+8 (499) 7311647
Факс
8@499@
Электронная почта
mari-iv@mail.ru
Информация о контрактной службе, контрактном управляющем
-
Дополнительная информация
Похожие закупки
ОпубликованаЗакупкаНачальная цена
25.11.2021210 - Поставка полупроводниковых подложек для выполнения мероприятий исследовательской программы10 000 000 ₽
30.11.2017248 - Выполнение СЧ ПНИЭР по теме «Разработка алгоритма и программы моделирования электронной системы источника мягкого рентгеновского излучения, состоящей из одиночного катодного узла и анодного электрода, для формирования пикселя в безмасочном литографе. Проведение моделирования и оптимизация электрических и геометрических параметров электронной системы источника мягкого рентгеновского излучения. Расчёт тепловой нагрузки на катодный узел при заданных характеристиках рентгеновского излучения. Разработка технологического маршрута изготовления тестовых образцов подложек для свободновисящих пленок бериллия. Отработка технологического маршрута изготовления тестовых образцов подложек для свободновисящих пленок бериллия»7 500 000 ₽
28.11.2017240 - Закупка оборудования для химической обработки подложек SiC в безвоздушной атмосфере3 087 350 ₽
15.06.2017107 - Закупка эпитаксиальных структурна основе GaAs типа pHEMT со стоп-слоем InGaP, D подложки=76,2 мм для отработки технологических процессов и изготовления макетов цифровых интерфейсов967 200 ₽
09.12.2015245 - Право заключения договора на поставку комплекта держателей полупроводниковых подложек для прикладных научных исследований.206 700 ₽