268 - Подложки карбида кремния для молекулярно-лучевой эпитаксии

Начальная цена

4 780 ₽

Обеспечение заявки

0 ₽

Обеспечение контракта

0 ₽

Номер закупки

31401812823

Способ размещения

Запрос котировок

Площадка

(223-ФЗ)

Договор 268

22.12.2014

ПРОТОКОЛ_переговоры_268

22.12.2014

Извещение 268

18.12.2014

Документация 268

12.12.2014

Извещение 268

12.12.2014

Участник	Предложение	Результат
УЛЬТРАН, ООО	4 770 ₽	-

ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ "МОСКОВСКИЙ ИНСТИТУТ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ" (Заказчик)

Почтовый адрес

Адрес места нахождения

Контактное лицо

Терновая Елена Германовна

Телефон

+7 (499) 7109979

Факс

+7 (499) 7297320

Электронная почта

spd@miee.ru

Информация о контрактной службе, контрактном управляющем

Дополнительная информация

Опубликована	Закупка	Начальная цена
25.11.2021	210 - Поставка полупроводниковых подложек для выполнения мероприятий исследовательской программы	10 000 000 ₽
22.11.2019	174 - Поставка эпитаксиальных структур нитрида галлия на кремнии	4 972 500 ₽
23.11.2018	198 - Выполнение СЧ ПНИЭР по теме: «Отработка технологических операций травления карбид кремниевых структур. Разработка требований к технологическому оборудованию для производства MOSFET транзистора на карбид кремниевой подложке. Разработка требований к эпитаксиальным структурам на карбиде кремния»	5 450 000 ₽
10.11.2016	180 - Выполнение НИР по теме: «Разработка методики формирования и исследования структур por-Si, por-Si/Ni на монокристаллических пластинах кремния диаметром 100 мм».	910 000 ₽
21.08.2014	Закупка гетероэпитаксиальных структур на основе нитрида галлия на подложках сапфира - 106	350 460 ₽