ТарифыБлогАутсорсинг
info@zakupki360.ru | 8(800)3333-717
Регистрация/вход
На контроль
Размещение завершено

216- Выполнение работ по замене стеклянных конструкций входной группы главного входа МИЭТ

Размещено:27.11.2015
Подача заявок:27.11.2015 0:00 - 03.12.2015 7:00
Место поставки
г.Москва, г.Зеленоград, площадь Шокина, д.1.
Отрасль
-
Начальная цена
222 440 ₽
Обеспечение заявки
0 ₽
Обеспечение контракта
0 ₽
Номер закупки
31503012865
Способ размещения
Запрос котировок
Площадка
 (223-ФЗ)
Документы
ДОГОВОР
07.12.2015
Протокол
03.12.2015
Документация
27.11.2015
Извещение 216
27.11.2015
Смета
27.11.2015
Участники и результаты
УчастникПредложениеРезультат
СТЕКЛОЛИДЕР, ООО188 000 ₽-
Контакты
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ "МОСКОВСКИЙ ИНСТИТУТ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ" (Заказчик)
Почтовый адрес
Адрес места нахождения
Контактное лицо
Крылова Ольга Валентиновна
Телефон
+8 (499) 7311931
Факс
Электронная почта
krilo@list.ru
Информация о контрактной службе, контрактном управляющем
-
Дополнительная информация
Похожие закупки
ОпубликованаЗакупкаНачальная цена
30.03.2022Выполнение составной части научно-исследовательских работ (СЧ НИР) по теме: «Разработка и изготовление экспериментального стенда для исследования макета МЭМС динамической маски в варианте конструкции с управлением коэффициентом пропускания рентгеновского излучения. Разработка облика составных частей установки безмасочной рентгеновской нанолитографии»70 000 000 ₽
17.02.2022Поставка узлов и блоков для проведения исследований макета МЭМС динамической маски в варианте конструкции с управлением коэффициентом пропускания рентгеновского излучения45 000 000 ₽
14.10.2021Выполнение работ по обследованию строительных конструкций и инженерных систем зданий НИУ МИЭТ1 700 000 ₽
05.04.2021Работы по обследованию строительных конструкций и инженерных систем зданий НИУ МИЭТ492 398 ₽
17.10.2013136 - Выполнение научно-исследовательских работ по теме «Разработка конструкции и технологических принципов изготовления наногетероструктур на основе арсенида галлия для полупроводникового приемника диапазона частот 0,5-5,0 ТГц»500 000 ₽