Товар/услуги | Код КТРУ | Ед. изм. | Кол-во | Цена за ед. | Стоимость |
---|---|---|---|---|---|
Оборудование для эпитаксиального выращивания полупроводниковых структур Назначение установки МОС-гидридной эпитаксии (установка MOCVD) Для эпитаксиального выращивания многослойных полупроводниковых гетероструктур соединений на основе InAlGaN с прецизионным контролем толщины и кривизны поверхности растущей пленки на подложках размером 1 × 150 мм; 1 × 100 мм; 3 × 3”; 7 × 2” Корпус установки, подключаемый к системе вытяжной вентиляции Наличие Ростовой реактор Наличие | Штука | 1 | 345000000 | 345000000 |